[发明专利]刻蚀方法和半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201811332602.1 | 申请日： | 2018-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN109461697B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 刘卫 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种刻蚀方法和半导体器件的制造方法，所述刻蚀方法包括：提供一具有图案化的光刻胶层的衬底；以所述图案化的光刻胶层为掩模，对所述衬底进行湿法刻蚀；对所述湿法刻蚀后的所述衬底进行干燥，干燥温度为25℃～35℃；以所述图案化的光刻胶层为掩模，对干燥后的所述衬底进行后续工艺；以及，去除所述图案化的光刻胶层。本发明的技术方案在低温下对湿法刻蚀后的衬底进行干燥，使得干燥后的图案化的光刻胶层可继续在后续工艺中使用，进而缩短了生产周期、降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：S1，提供一具有图案化的光刻胶层的衬底；S2，以所述图案化的光刻胶层为掩模，对所述衬底进行湿法刻蚀；S3，对所述湿法刻蚀后的所述衬底进行干燥，干燥温度为25℃～35℃；S4，以所述图案化的光刻胶层为掩模，对干燥后的所述衬底进行后续工艺；以及，S5，去除所述图案化的光刻胶层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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