[发明专利]刻蚀方法和半导体器件的制造方法

说明书

本发明提供了一种刻蚀方法和半导体器件的制造方法，所述刻蚀方法包括：提供一具有图案化的光刻胶层的衬底；以所述图案化的光刻胶层为掩模，对所述衬底进行湿法刻蚀；对所述湿法刻蚀后的所述衬底进行干燥，干燥温度为25℃～35℃；以所述图案化的光刻胶层为掩模，对干燥后的所述衬底进行后续工艺；以及，去除所述图案化的光刻胶层。本发明的技术方案在低温下对湿法刻蚀后的衬底进行干燥，使得干燥后的图案化的光刻胶层可继续在后续工艺中使用，进而缩短了生产周期、降低了生产成本。

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，特别涉及一种刻蚀方法和半导体器件的制造方法。

背景技术

在半导体器件的生产工艺中，随着半导体器件的尺寸越来越小和技术规格要求越来越高，半导体器件中的部分结构刻蚀时对图案有特定的要求，但是要刻蚀出这种特定的图案，单独使用湿法刻蚀或者干法刻蚀都无法实现，需要利用湿法刻蚀的各向同性(参阅图1a)和干法刻蚀的各向异性(参阅图1b)，将两种刻蚀方法组合起来才能满足要求。具体步骤如下：

1、先在器件上形成图案化的光刻胶层，并对待刻蚀的区域进行湿法刻蚀；

2、然后，对湿法刻蚀之后的器件进行异丙醇雾化干燥(IPA干燥)，并去除图案化的光刻胶层；

3、最后，再次在器件上形成图案化的光刻胶层，对待刻蚀的区域进行干法刻蚀，刻蚀完成之后去除图案化的光刻胶层。

以上的步骤中，在对湿法刻蚀之后的器件进行IPA干燥时，干燥温度为75℃～85℃，图案化的光刻胶层在高温的作用下会受到损伤，进而对后续的刻蚀工艺产生影响。例如参阅图2a～2d中所示的器件的刻蚀过程，图2a所示的为一待刻蚀的衬底10，衬底10包括外围区11和存储区12，外围区11和存储区12中包括多个浅沟槽隔离结构13，浅沟槽隔离结构13之间的衬底10的顶表面上形成有栅氧层14和多晶硅栅极层15，浅沟槽隔离结构13的顶表面与多晶硅栅极层15的顶表面齐平，图案化的光刻胶层16将外围区11的顶部覆盖；先对衬底10进行湿法刻蚀，从图2b中可看出，以图案化的光刻胶层16为掩模，对存储区12上的浅沟槽隔离结构13进行湿法刻蚀，去除部分厚度的浅沟槽隔离结构13，以使得存储区12上的浅沟槽隔离结构13的顶表面低于多晶硅栅极层15的顶表面，且高于栅氧层14的顶表面；然后，对湿法刻蚀之后的衬底10进行IPA干燥，从图2c中可看出，干燥之后的图案化的光刻胶层16的边缘区域受损，使得部分外围区11上的浅沟槽隔离结构13和多晶硅栅极层15的顶表面暴露出来，若继续使用受损的图案化的光刻胶层16对存储区12进行下一步的干法刻蚀工艺，即会出现如图2d中所示的情况，在正常的存储区12上的浅沟槽隔离结构13被刻蚀掉部分厚度以外，外围区11上的顶表面未被图案化的光刻胶层16覆盖住的浅沟槽隔离结构13也在干法刻蚀的过程中被刻蚀掉部分厚度，使得器件的结构受损，导致器件的性能受影响。所以，在对存储区12进行干法刻蚀之前，需要先将图案化的光刻胶层16去除，再重新形成一层图案化的光刻胶层16，以将外围区11完全覆盖起来，完成干法刻蚀之后再将新形成的图案化的光刻胶层16去除，这样就需要2次形成图案化的光刻胶层16和2次去除图案化的光刻胶层16，生产成本较高，生产周期较长。因此，如何使得湿法刻蚀之后的图案化的光刻胶层可在后续工艺中继续使用，以缩短生产周期和降低生产成本是目前亟需解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种刻蚀方法和半导体器件的制造方法，使得湿法刻蚀之后的图案化的光刻胶层可在后续工艺中继续使用，以缩短生产周期和降低生产成本。

为实现上述目的，本发明提供了一种刻蚀方法，包括：

S1，提供一具有图案化的光刻胶层的衬底；

S2，以所述图案化的光刻胶层为掩模，对所述衬底进行湿法刻蚀；

S3，对所述湿法刻蚀后的所述衬底进行干燥，干燥温度为25℃～35℃；

S4，以所述图案化的光刻胶层为掩模，对干燥后的所述衬底进行后续工艺；以及，