[发明专利]刻蚀方法和半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：

S1，提供一具有图案化的光刻胶层的衬底；

S2，以所述图案化的光刻胶层为掩模，对所述衬底进行湿法刻蚀；

S3，将所述湿法刻蚀后的所述衬底放入干燥箱中，先向所述干燥箱中通入雾化异丙醇以置换出所述衬底表面的水分，再对所述干燥箱进行抽气以将水蒸气和雾化异丙醇带出所述干燥箱，再向所述干燥箱中通入氮气对所述衬底进行干燥，所述干燥箱内的干燥温度为25℃～35℃；

S4，以所述图案化的光刻胶层为掩模，对干燥后的所述衬底进行后续工艺；以及，

S5，去除所述图案化的光刻胶层。

2.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，在所述湿法刻蚀的机台上直接对所述衬底进行干燥，所述干燥温度设定在所述湿法刻蚀的机台上。

3.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述后续工艺包括干法刻蚀或离子注入。

4.如权利要求1至3中任一项所述的刻蚀方法，其特征在于，循环执行步骤S2至S4，直至所述衬底的刻蚀结果达到预设要求。

5.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，去除所述图案化的光刻胶层的步骤包括：先进行等离子灰化处理，再采用硫酸和双氧水的混合溶液浸泡。

6.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述图案化的光刻胶层包括正性光刻胶或负性光刻胶。

7.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：采用权利要求1至6中任一项所述的刻蚀方法对一衬底进行刻蚀，以制作所述半导体器件。

8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述的刻蚀方法中的后续工艺包括干法刻蚀或离子注入。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述衬底具有外围区和存储区，所述外围区和所述存储区的衬底中分别设有多个浅沟槽隔离结构，相邻的所述浅沟槽隔离结构之间的所述衬底的顶表面上形成有栅氧层和多晶硅栅极层，所述浅沟槽隔离结构的顶表面与所述多晶硅栅极层的顶表面齐平；依次采用所述的刻蚀方法中的湿法刻蚀和干法刻蚀对所述存储区中的所述浅沟槽隔离结构进行回刻蚀，以使得所述存储区中的各个所述浅沟槽隔离结构的顶表面与所述栅氧层的底表面齐平。

10.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述湿法刻蚀所采用的刻蚀剂包括氢氟酸或磷酸。

11.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述干法刻蚀包括物理刻蚀、化学刻蚀或物理化学刻蚀。