[发明专利]一种化合物半导体薄膜太阳能电池制备方法

摘要

本发明公开一种化合物半导体薄膜太阳能电池制备方法，包括以下步骤：背电极形成步骤，在衬底上形成背电极；吸收层形成步骤，在背电极上形成金属预制层，将金属预制层在Na₃PO₄溶液中进行浸泡处理并烘干，将烘干后的金属预制层进行后硒化处理形成吸收层；缓冲层形成步骤，在吸收层上形成缓冲层；窗口层形成步骤，在缓冲层上形成本征氧化锌层和掺杂氧化锌层；以及顶电极形成步骤，在所述窗口层上形成顶电极。本发明通过采用Na₃PO₄溶液对金属预制层进行处理，使得化合物半导体薄膜太阳能电池的开路电压显著提高，器件效率得到了明显的提升。另外，本发明成本低廉，有利于商业化推广和应用。

主权项

1.一种化合物半导体薄膜太阳能电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤：背电极形成步骤，在衬底上形成背电极；吸收层形成步骤，在所述背电极上形成金属预制层，将所述金属预制层在Na₃PO₄溶液中进行浸泡处理并烘干，将所述烘干后的金属预制层进行后硒化处理形成吸收层；缓冲层形成步骤，在所述吸收层上形成缓冲层；窗口层形成步骤，在所述缓冲层上形成本征氧化锌层和掺杂氧化锌层；以及顶电极形成步骤，在所述窗口层上形成顶电极。