[发明专利]一种GaN基低阶表面光栅DFB激光器的制备方法在审
| 申请号： | 201811330731.7 | 申请日： | 2018-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN109462144A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 李俊泽;张建;邓泽佳;杨浩军;李沫 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/12 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基低阶表面光栅DFB激光器的制备方法，包括步骤：GaN基激光器外延片上沉积SiO2掩膜；使用纳米压印技术在基片表面制备均匀的布拉格光栅，光刻技术制作条形图样，形成脊型与光栅的复合结构；刻蚀GaN，经条形光刻胶与光栅状SiO2复合结构掩膜刻蚀外延片，形成具有脊型的表面复合光栅结构；制备激光器芯片上下电极结构，得到GaN基DFB半导体激光器。本发明将光栅制备与工艺后期所需的脊型图样同时刻蚀，分别通过纳米压印模板与光刻版图设计组合，能针对不同波长、不同阶光栅、不同尺寸GaN基DFB激光器进行设计与制备，能大幅降低GaN基DFB半导体激光器成本，有效提高产品的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 脊型 半导体激光器 光栅 表面光栅 复合结构 外延片 低阶 刻蚀 掩膜 纳米压印技术 纳米压印模板 上下电极结构 布拉格光栅 激光器芯片 版图设计 表面复合 光刻技术 光栅结构 光栅制备 基片表面 条形图样 光栅状 均匀性 条形光 波长 光刻 图样 沉积 制作 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基低阶表面光栅DFB激光器的制备方法，其特征在于包括以下步骤：步骤P1，准备氮化镓基激光器的外延片，对外延片进行清洁后，在外延片上沉积形成SiO2掩膜层；步骤P2，利用纳米压印技术结合刻蚀工艺在外延片的SiO2掩膜层上制备布拉格光栅结构层，在布拉格光栅结构层上利用光刻技术曝光制备条形图样层，条形图样层的条形图样与布拉格光栅方向相垂直，形成条形叠加布拉格光栅的复合掩膜结构；步骤P3，以所述条形叠加布拉格光栅的复合掩膜结构为基础，刻蚀外延片氮化镓材料，形成具有脊型的表面复合光栅结构层，然后清洁残胶并腐蚀剩余的SiO2掩膜，得到具有表面复合光栅结构的激光器外延片以备用；步骤P4，基于具有表面复合光栅结构的激光器外延片，完成DFB激光器的制备工艺。
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