[发明专利]一种半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201811329447.8 | 申请日： | 2018-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN111180503B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 张伟 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，其中，半导体器件包括衬底；位于衬底基板的多层半导体层,多层半导体层中形成有二维电子气；位于多层半导体层远离衬底一侧的第一介质层，第一介质层中形成有负离子；位于多层半导体层远离衬底一侧的多个电极，多个电极贯穿第一介质层。通过在第一介质层中形成负离子，通过第一介质层中的负离子增加多层半导体层表面的负离子累积，避免半导体材料中的体缺陷及表面态对多层半导体层中二维电子气的消耗，可以降低半导体器件的漏电，提升半导体器件的输出功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州能讯高能半导体有限公司，未经苏州能讯高能半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811329447.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
