[发明专利]一种单晶二硫化钼器件阵列的制备方法

摘要

一种单晶二硫化钼器件阵列的制备方法，首先通过化学气相沉积法在基底表面生长大面积连续的多晶二硫化钼；其次通过刻蚀将二硫化钼图形化，在基底表面形成晶核阵列；之后将表面带有晶核阵列的基底再次进行化学气相沉积，在晶核处生成单晶二硫化钼，该单晶二硫化钼生长的位置由植入晶核的位置精确控制，形成单晶二硫化钼阵列；最后采用微纳加工技术加工金属电极，形成单晶器件阵列；本发明通过植入晶核的方法可避免二硫化钼器件阵列中存在晶界缺陷，获得高质量二硫化钼微纳器件阵列，为二硫化钼器件的实用化奠定基础。

主权项

1.一种单晶二硫化钼器件阵列的制备方法，其特征在于，其制备步骤依次为：(1)首先通过化学气相沉积法在基底表面生长大面积连续的多晶二硫化钼,用真空泵将石英炉内的压强抽至10mTorr，然后向石英炉内通入氩气，生长温度500‑700摄氏度，生长时间10‑30分钟,所述二硫化钼为二维材料，即厚度方向仅有单层原子或少数几层原子；(2)将生成的大面积连续的多晶二硫化钼通过干法刻蚀的方法图形化，在基底表面形成晶核阵列，干法刻蚀采用的氧气压强为10‑15Pa、流速50‑100sccm、功率50‑100W、刻蚀时间2‑5分钟；(3)将表面带有晶核阵列的基底再次进行化学气相沉积，用真空泵将石英炉内的压强抽至10mTorr，然后向石英炉内通入氩气，生长温度500‑700摄氏度，生长时间2‑10分钟，单晶二硫化钼只生长在植入晶核的位置，因此单晶二硫化钼生长的位置由植入晶核的位置确定，形成单晶二硫化钼阵列；(4)采用微纳加工技术加工金属电极，形成单晶二硫化钼器件阵列。