[发明专利]一种垂直多结结构二硫化钼太阳能电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201811324425.2 申请日: 2018-11-08
公开(公告)号: CN109473490A 公开(公告)日: 2019-03-15
发明(设计)人: 邢宇鹏;张楷亮;赵金石;杨正春 申请(专利权)人: 天津理工大学
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/0687;H01L31/18
代理公司: 天津耀达律师事务所 12223 代理人: 廖晓荣
地址: 300384 *** 国省代码: 天津;12
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摘要: 一种垂直多结结构二硫化钼太阳能电池,包括周期性重复的基本单元、两侧掺杂区(第三掺杂区和第四掺杂区)和两侧电极(第一电极和第二电极)三部分。基本单元由基区、第一掺杂区和第二掺杂区构成。所述基区和各掺杂区为单层或多层二硫化钼材料,厚度从1层到100层。第一掺杂区和第三掺杂区的掺杂类型相同,为N型或P型掺杂。第二掺杂区和第四掺杂区的掺杂类型相同,为N型或P型掺杂,且与第一掺杂区和第三掺杂区的掺杂类型相反。本发明提供的太阳能电池可以减少材料使用量,降低制造成本,并能减小太阳能电池的电学损失,从而提高太阳能电池的转换效率。
搜索关键词: 掺杂区 太阳能电池 掺杂类型 二硫化钼 基本单元 多结 基区 垂直 周期性重复 第二电极 第一电极 减少材料 制造成本 转换效率 电极 电学 单层 多层 减小 制备
【主权项】:
1.一种垂直多结结构二硫化钼太阳能电池,包括周期性重复的基本单元、两侧掺杂区和两侧电极三部分:其中周期性重复的基本单元包括:基区(0):为单层或多层二硫化钼材料;第一掺杂区(1),制作在基区(0)的一侧,为单层或多层二硫化钼材料,其厚度与基区(0)的厚度相同;第二掺杂区(2),制作在基区(0)的另一侧,为单层或多层二硫化钼材料,其厚度与基区(0)的厚度相同;相邻的基本单元通过第一掺杂区(1)和第二掺杂区(2)串接在一起;两侧掺杂区为:第三掺杂区(3),制作在最外侧的基本单元的第一掺杂区(1)的外侧,为单层或多层二硫化钼材料,其厚度与第一掺杂区(1)的厚度相同;第四掺杂区(4),制作在另一最外侧的基本单元的第二掺杂区(2)的外侧,为单层或多层二硫化钼材料,其厚度与第二掺杂区(2)的厚度相同;两侧电极为:第一电极(5),制作在第三掺杂区(3)的下表面,其宽度小于第三掺杂区(3)的宽度;第二电极(6),制作在第四掺杂区(4)的下表面,其宽度小于第四掺杂区(4)的宽度。
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