[发明专利]通过氢处理形成低应力氮化硅层有效
| 申请号： | 201811318128.7 | 申请日： | 2018-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN110504155B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 谢维哲;黄靖宇;叶昕豪;王俊尧;李资良 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/34;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种方法，包括：将晶圆放入工艺室中；和在晶圆的基底层上沉积氮化硅层。沉积氮化硅层的工艺包括将含硅前体引入工艺室中；从工艺室清除含硅前体；将氢自由基引入工艺室中；从工艺室清除氢自由基；将含氮前体引入工艺室中；和从工艺室清除含氮前体。本发明实施例涉及通过氢处理形成低应力氮化硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 处理 形成 应力 氮化 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，包括：/n将晶圆放入工艺室中；和/n在所述晶圆的基底层上沉积氮化硅层，所述沉积包括：/n将含硅前体引入所述工艺室中；/n从所述工艺室清除所述含硅前体；/n将氢自由基引入所述工艺室中；/n从所述工艺室清除氢自由基；/n将含氮前体引入所述工艺室中；和/n从所述工艺室清除含氮前体。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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