[发明专利]半导体器件和制作方法有效
| 申请号： | 201811314954.4 | 申请日： | 2018-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN111141804B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 尚海平;曹治;王英辉;王玮冰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟;谢湘宁 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种半导体器件和制作方法。该半导体器件包括：衬底；第一绝缘层，位于衬底的表面上；电极层，位于第一绝缘层的远离衬底的表面上；第二绝缘层，位于电极层的远离第一绝缘层的表面上，第二绝缘层具有间隔设置的多个通孔，各通孔使得电极层的部分表面裸露，第二绝缘层的材料和/或第一绝缘层的材料包括非晶碳化硅。该半导体器件中第一绝缘层的材料和/或第二绝缘层的材料为非晶碳化硅，该材料可以有效防止由于海水腐蚀造成的器件失效的问题，极大的提高了半导体器件的使用寿命。此外，碳化硅对于强酸强碱等强腐蚀性溶液，也有很好的抗腐蚀性，可以较好的满足海水原位检测的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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