[发明专利]半导体器件在审
申请号: | 201811311113.8 | 申请日: | 2018-11-06 |
公开(公告)号: | CN109904161A | 公开(公告)日: | 2019-06-18 |
发明(设计)人: | 李峭蒑;金锡勋;梁裕信;李承勋;崔珉姬 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/11 | 分类号: | H01L27/11 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 李娜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 公开了一种半导体器件,该半导体器件包括:衬底,该衬底包括从衬底的顶表面垂直地突出的第一有源图案;以及填充形成在第一有源图案的上部上的第一凹部的第一源极/漏极图案。该第一源极/漏极图案包括第一半导体图案和位于第一半导体图案上的第二半导体图案。第一半导体图案具有第一面、第二面和当第一面和第二面彼此会合时限定的第一角边缘。该第二半导体图案覆盖第一半导体图案的第一面和第二面并暴露第一角边缘。 | ||
搜索关键词: | 半导体图案 半导体器件 第二面 衬底 源极/漏极 角边缘 源图案 图案 垂直地 顶表面 凹部 填充 暴露 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:衬底,所述衬底包括从所述衬底的顶表面竖直地突出的第一有源图案;以及第一源极/漏极图案,所述第一源极/漏极图案填充形成在所述第一有源图案的上部上的第一凹部,其中,所述第一源极/漏极图案包括:第一半导体图案;以及位于所述第一半导体图案上的第二半导体图案,其中,所述第一半导体图案具有第一面、第二面和在所述第一面和所述第二面彼此会合处限定的第一角边缘,并且其中,所述第二半导体图案覆盖所述第一半导体图案的所述第一面和所述第二面并暴露所述第一角边缘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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