[发明专利]存储器系统和操作存储器系统的方法在审
| 申请号： | 201811310623.3 | 申请日： | 2018-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN109949844A | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 金正烈;方遒锡;李政勇;林采一;郑龙权 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 姜长星;张川绪 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开一种存储器系统和操作存储器系统的方法。存储器控制器在刷新周期期间将一个或多个自刷新进入命令和随后的自刷新退出命令的命令对发送到半导体存储器装置。半导体存储器装置包括存储器单元阵列和刷新控制电路，存储器单元阵列包括多个存储器单元行，每个存储器单元行包括多个动态存储器单元。刷新控制电路在刷新周期期间，在自刷新模式下对所有存储器单元行执行刷新操作，刷新周期的自刷新模式响应于一个或多个命令对的每个自刷新进入命令而被配置，针对所述一个或多个命令对中的每个命令对，存储器控制器在刷新周期期间，将通过一个或多个时间间隙分开的至少一个自刷新进入命令和至少一个自刷新退出命令顺序地发送到半导体存储器装置。 | ||
| 搜索关键词： | 自刷新 刷新周期 半导体存储器装置 存储器单元 存储器单元阵列 存储器控制器 刷新控制电路 操作存储器 存储器系统 自刷新模式 退出命令 动态存储器单元 时间间隙 刷新操作 响应 配置 | ||
【主权项】：
1.一种存储器系统，包括：存储器控制器，被配置为：在刷新周期期间，将一个或多个命令对发送到半导体存储器装置，每个命令对包括自刷新进入命令和随后的自刷新退出命令，其中，半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元行，每个存储器单元行包括多个动态存储器单元；刷新控制电路，被配置为：在刷新周期期间，在自刷新模式下对存储器单元阵列的所有存储器单元行执行刷新操作，刷新周期的自刷新模式响应于所述一个或多个命令对的每个自刷新进入命令而被配置，其中，针对所述一个或多个命令对中的每个命令对，存储器控制器被配置为：在刷新周期期间，将通过一个或多个时间间隙分开的至少一个自刷新进入命令和至少一个自刷新退出命令顺序地发送到半导体存储器装置，其中，等于所述一个或多个时间间隙之和的第一时间段被预先确定。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811310623.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种铁电畴调控的光读出模式存储器及制备方法
- 下一篇：半导体存储装置
