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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]读取刷新操作-CN202180026633.8在审
  • F·佩里兹;K·萨尔帕特瓦里;I·托尔托雷利;N·N·加杰拉 - 美光科技公司
  • 2021-03-17 - 2022-12-30 - G11C13/00
  • 本公开描述用于读取刷新操作的方法、系统及装置。存储器装置可包含多个存储器胞元子块。每一子块可经历一定数量的存取操作(例如，读取操作、写入操作)。基于在一段时间内对任何一个子块执行的存取操作的所述数量，可对所述子块的所述存储器胞元执行读取刷新操作。读取刷新操作可刷新及/或恢复存储到所述子块的所述存储器胞元的所述数据，且基于所述存储器装置接收到操作代码(例如，从主机装置)而启动。
  • 读取刷新操作
  • [发明专利]用于半导体存储器中的刷新操作的设备和方法-CN201911275497.7在审
  • 石川透;別所真次;中西琢也 - 美光科技公司
  • 2019-12-12 - 2020-06-23 - G11C11/406
  • 描述了一种用于半导体存储器中的刷新操作的设备和方法以及用于其的系统。所述系统包含例如存储器库中的存储器单元，所述存储器单元在自刷新操作或自动刷新操作期间被刷新。所述自刷新操作包含与所述自动刷新操作不同的刷新激活次数。所述系统进一步包含行控制电路，所述行控制电路被配置成基于从刷新控制电路接收到的刷新控制信号来刷新所述存储器库中的所述存储器单元，所述刷新控制信号是由所述刷新控制电路基于由所述刷新控制电路从命令控制电路接收的内部控制信号而提供所述自动刷新操作包含每个库刷新操作或所有库刷新操作，所述每个库刷新操作被配置成刷新对应存储器库，所述所有库刷新操作被配置成刷新所有存储器库。
  • 用于半导体存储器中的刷新操作设备方法
  • [发明专利]用于目标刷新操作的时序交错的设备和方法-CN201911220229.5有效
  • J·S·雷赫迈耶 - 美光科技公司
  • 2019-12-03 - 2023-10-20 - G11C11/402
  • 本公开的实施例涉及用于目标刷新操作的时序交错的设备和方法。存储器管芯可能需要周期性地执行刷新操作，所述刷新操作可以是自动刷新操作或目标刷新操作。目标刷新操作可能比自动刷新操作消耗更少的电流。当将管芯聚集成一组(例如，存储器堆栈、存储器模块)时，可以使目标刷新操作的时序在不同管芯之间交错，以有助于减少消耗的峰值电流。目标刷新操作可以交错，使得当最大数量的管芯执行刷新操作时，所述管芯中的至少一个执行目标刷新操作而不是自动刷新操作。
  • 用于目标刷新操作时序交错设备方法
  • [发明专利]用于分布式目标刷新操作的设备及方法-CN201911311375.9在审
  • 野口英和 - 美光科技公司
  • 2019-12-18 - 2020-07-07 - G11C11/406
  • 本发明的实施例涉及用于分布式目标刷新操作的设备及方法。除非执行刷新操作，否则存储在易失性存储器单元中的信息可能衰减。存储器装置可执行自动刷新操作以及一或多种类型的目标刷新操作，其中特定行是刷新目标。目标刷新操作可能比自动刷新操作消耗更少功率。可期望贯穿刷新操作序列分配目标刷新操作，以平均化所述存储器装置中的功率消耗。响应于刷新信号的激活，所述存储器装置可执行刷新操作群组。每一群组中的至少一次刷新操作可为目标刷新操作。
  • 用于分布式目标刷新操作设备方法
  • [发明专利]存储器件和包括存储器件的存储系统-CN201510071279.7有效
  • 林禹日 - 爱思开海力士有限公司
  • 2015-02-11 - 2021-08-10 - G11C11/406
  • 一种存储器件包括：多个存储块；地址计数器，其适于产生用于正常刷新操作且当刷新了所有的存储块时被改变的计数地址；目标地址发生器，其适于产生用于目标刷新操作的目标地址，其中，所述目标地址对应于在所述存储块中的要另外刷新的字线的地址；以及刷新控制器，其适于基于所述刷新命令，控制所述存储块在第一正常刷新操作期间在不同的时间进行刷新；控制所述存储块之中的在所述第一正常刷新操作中首先刷新的存储块经由所述目标刷新操作来刷新；以及控制在所述第一正常刷新操作中首先刷新的存储块在第二正常刷新操作期间被最后刷新
  • 存储器件包括存储系统
  • [发明专利]用于通过冗余来刷新存储器的设备和方法-CN202110996631.3在审
  • 杜斌;李亮;张煜;卢胤 - 美光科技公司
  • 2021-08-27 - 2022-03-01 - G11C29/00
  • 本公开涉及用于通过冗余来刷新存储器的设备和方法。本公开的实施例针对于用于在执行例如自动刷新和目标刷新操作等的各种刷新操作之前检查行地址的冗余信息的设备和方法。在一些实例中，刷新操作可为多泵刷新操作。在一些实例中，目标刷新操作可响应于多泵刷新操作在自动刷新操作之前执行。在一些实例中，可至少部分地在所述目标刷新操作期间执行所述自动刷新操作的冗余信息。在一些实例中，当所述冗余信息指示字线有缺陷或未使用时，可跳过对所述字线的刷新操作。
  • 用于通过冗余刷新存储器设备方法
  • [发明专利]刷新掩蔽信号生成电路、半导体存储装置及其刷新方法-CN202310698108.1在审
  • 刘璐 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2023-06-13 - 2023-08-04 - G11C11/406
  • 本公开提供一种刷新掩蔽信号生成电路、半导体存储装置及其刷新方法，属于集成电路技术领域。该刷新掩蔽信号生成电路包括：刷新轮数计数器，用于生成刷新轮数信号；刷新掩蔽信号解码器，用于接收并根据刷新轮数信号、刷新指令信号和刷新掩蔽指示信号生成刷新掩蔽信号，刷新掩蔽信号用于指示在对半导体存储装置执行每轮的刷新操作时，确定半导体存储装置的存储空间中的刷新掩蔽区域，以对刷新掩蔽区域不执行刷新操作。能够根据生成的刷新掩蔽信号，确定半导体存储装置的存储空间中的刷新掩蔽区域，以在对半导体存储装置执行每轮的刷新操作时对刷新掩蔽区域不进行刷新操作，从而节约电流。
  • 刷新掩蔽信号生成电路半导体存储装置及其方法
  • [发明专利]半导体存储器件的刷新控制方法和半导体存储器件-CN02150270.6有效
  • 中岛正美;东保充洋 - 富士通株式会社
  • 2002-11-07 - 2003-06-25 - G11C11/406
  • 本发明提供一种半导体存储器件及其刷新控制方法，以实现一种刷新操作，它对于执行独立于外部访问操作的刷新操作实现低电流消耗操作时，不会给外部访问操作带来任何问题，而在该控制方法中，在外部访问的执行期间，刷新操作是被禁止的在这期间，对于第一个刷新－操作－起始请求，在刷新操作中的内部操作是被控制的，但对于第二个和以后的刷新操作起始请求，内部操作是被禁止的。在外部访问操作时，刷新操作被禁止，在这期间，即使有多个刷新－访问－起始请求预先被输出，内部操作并不预先执行，而在外部访问操作结束以后，刷新操作肯定被执行。
  • 半导体存储器件刷新控制方法
  • [发明专利]存储器设备-CN200410091683.2有效
  • 池田仁史 - 富士通株式会社
  • 2004-11-30 - 2006-01-04 - G11C11/401
  • 提供了一种存储器设备，其具有：在内部产生刷新命令的刷新控制电路；刷新中断控制电路，当从外部输入写命令时，所述刷新中断控制电路产生刷新中断信号，以在预定期间内接受刷新命令；命令译码器，当从外部输入写命令时，在由刷新中断信号引起的刷新命令接受期间结束之后，并且如果正在进行刷新操作则在等待所述刷新操作结束之后，所述命令译码器指示写操作；和比较电路，当在由刷新中断信号引起的刷新命令接受期间中产生了刷新命令时，所述比较电路指示刷新操作。
  • 存储器设备
  • [发明专利]半导体存储器件-CN201410842349.X有效
  • 金昌铉;宋清基 - 爱思开海力士有限公司
  • 2014-12-30 - 2020-02-07 - G11C11/406
  • 本发明涉及一种半导体存储器件，该半导体存储器件包括：控制信号生成器，其适于生成对应于温度信息的控制信号；刷新控制器，其适于响应于刷新命令信号在预定时刻启用针对智能刷新操作的刷新信号，并且响应于刷新命令信号在对应于控制信号的时刻启用针对标准刷新操作的刷新信号；以及数据存储器，其适于存储数据以及响应于刷新控制器的所述刷新信号而执行智能刷新操作和标准刷新操作。
  • 半导体存储器件
  • [发明专利]刷新电路-CN201510369999.1有效
  • 金洪中 - 爱思开海力士有限公司
  • 2015-06-29 - 2020-08-14 - G11C11/406
  • 公开了一种刷新电路。该刷新电路被配置用以对多个存储体执行第一刷新操作。第一刷新操作可以在根据第一参数确定的第一时段之内被执行。所述刷新电路可以被配置用以对多个存储体之中的部分数目的存储体执行第二刷新操作。可以对已经完成第一刷新操作的部分数目的存储体执行第二刷新操作。第二刷新操作可以在第一时段之内被执行。
  • 刷新电路
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