[发明专利]质量流量控制器、制造半导体器件的设备及其维护方法在审
| 申请号： | 201811300458.3 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN109872957A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 李相吉;梁裕信;柳成润;朴圭焕;李衒 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;G05D7/06 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了质量流量控制器、用于制造半导体器件的设备及其维护方法。质量流量控制器可以控制被提供到腔室中的气体的量。质量流量控制器可以构造成在最初使用质量流量控制器时，获得以标准流速提供到腔室中的气体的绝对体积。质量流量控制器可以被构造为在质量流量控制器已经使用预定时间之后，获得以测量流速提供的气体的检测流速。质量流量控制器可以构造成比较检测流速和标准流速，以验证测量流速的满刻度误差。 | ||
| 搜索关键词： | 质量流量控制器 半导体器件 标准流速 测量流速 腔室 比较检测 刻度误差 制造 验证 维护 检测 | ||
【主权项】：
1.一种质量流量控制器，用于控制被提供到腔室中的气体的量，所述质量流量控制器构造为：当最初使用所述质量流量控制器时，获得以标准流速提供到所述腔室中的气体的绝对体积，当所述质量流量控制器已经使用了预定时间之后，获得以测量流速提供的气体的检测流速，以及比较所述检测流速与所述标准流速，以验证所述测量流速的满刻度误差。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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