[发明专利]开关时间减少的射频开关电路在审

专利信息
申请号: 201811297951.4 申请日: 2018-11-01
公开(公告)号: CN109768788A 公开(公告)日: 2019-05-17
发明(设计)人: 巴克尔·斯科特;乔治·马克西姆;帕德玛希尼·迪西肯;迪尔克·罗伯特·沃尔特·莱波尔德 申请(专利权)人: QORVO美国公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 梁丽超;刘丹
地址: 美国北卡*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明提供了一种开关时间减少的射频开关电路。该RF开关电路包括耦合在输入节点、输出节点和栅极驱动节点之间的多个FET。当在所述栅极驱动节点处提供正供电电压时,所述多个FET接通并且在所述输入节点与所述输出节点之间提供低阻抗路径。当在所述栅极驱动节点处提供负供电电压时,所述多个FET关断并且在所述输入节点与所述输出节点之间提供高阻抗路径。所述RF开关电路中的开关加速电路包括旁路FET和多电平驱动器电路。所述旁路FET响应于多电平驱动信号来选择性地绕过共同电阻器。所述多电平驱动器电路使用所述旁路FET的内建栅极到电容,以在高于所述正供电电压的过电压下提供所述多电平驱动信号。
搜索关键词: 多电平 输出节点 输入节点 栅极驱动 旁路 射频开关电路 驱动器电路 供电电压 开关电路 驱动信号 时间减少 节点处 低阻抗路径 负供电电压 高阻抗路径 加速电路 耦合 电阻器 过电压 电容 关断 内建 绕过 接通 响应
【主权项】:
1.一种射频RF开关电路,所述RF开关电路包括:●输入节点、输出节点和栅极驱动节点;●耦合在所述输入节点、所述输出节点和所述栅极驱动节点之间的多个场效晶体管FET,以使得所述FET中的每一个的栅极接点通过共同电阻器耦合到所述栅极驱动节点,其中所述多个FET被配置成:●当在正供电电压下提供所述栅极驱动节点处的栅极驱动信号时接通并且在所述输入节点与所述输出节点之间提供低阻抗路径;以及●当在负供电电压下提供所述栅极驱动信号时关断并且在所述输入节点与所述输出节点之间提供高阻抗路径,其中所述高阻抗路径具有高于所述低阻抗路径的阻抗;以及●开关加速电路,所述开关加速电路包括:●旁路FET,所述旁路FET被配置成响应于多电平驱动信号来选择性地绕过所述共同电阻器;以及●多电平驱动器电路,所述多电平驱动器电路被配置成使用所述旁路FET的内建栅极电容,以便在高于所述正供电电压的过电压下提供所述多电平驱动信号。
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