[发明专利]开关时间减少的射频开关电路

权利要求书

1.一种射频RF开关电路，所述RF开关电路包括：

●输入节点、输出节点和栅极驱动节点；

●耦合在所述输入节点、所述输出节点和所述栅极驱动节点之间的多个场效晶体管FET，以使得所述FET中的每一个的栅极接点通过共同电阻器耦合到所述栅极驱动节点，其中所述多个FET被配置成：

●当在正供电电压下提供所述栅极驱动节点处的栅极驱动信号时接通并且在所述输入节点与所述输出节点之间提供低阻抗路径；以及

●当在负供电电压下提供所述栅极驱动信号时关断并且在所述输入节点与所述输出节点之间提供高阻抗路径，其中所述高阻抗路径具有高于所述低阻抗路径的阻抗；以及

●开关加速电路，所述开关加速电路包括：

●旁路FET，所述旁路FET被配置成响应于多电平驱动信号来选择性地绕过所述共同电阻器；以及

●多电平驱动器电路，所述多电平驱动器电路被配置成使用所述旁路FET的内建栅极电容，以便在高于所述正供电电压的过电压下提供所述多电平驱动信号。

2.如权利要求1所述的RF开关电路，其中所述多电平驱动器电路被配置成致使所述旁路FET在所述多个FET在多个状态之间转变时绕过所述共同电阻器，以及在所述多个FET的稳态操作期间不绕过所述共同电阻器。

3.如权利要求1所述的RF开关电路，其中所述多个FET串联地耦合在所述输入节点与所述输出节点之间。

4.如权利要求3所述的RF开关电路，其中所述多个FET串联地耦合在所述输入节点与所述输出节点之间，以使得所述多个FET的第一FET的漏极接点耦合到所述输入节点，所述多个FET的最后一个FET的源极接点耦合到所述输出节点，并且其余FET在所述多个FET的所述第一FET与所述多个FET的所述最后一个FET之间以漏极到源极方式耦合。

5.如权利要求1所述的RF开关电路，所述RF开关电路还包括多个栅极电阻器，每个栅极电阻器耦合在所述多个FET中的每个邻近对的FET的栅极接点之间。

6.如权利要求5所述的RF开关电路，其中所述开关加速电路还包括额外旁路FET，所述额外旁路FET被配置成响应于所述多电平驱动信号来选择性地绕过所述多个栅极电阻器中的一个。

7.如权利要求6所述的RF开关电路，所述RF开关电路还包括多个漏-源偏压电阻器，所述多个漏-源偏压电阻器耦合在所述多个FET中的每个FET的漏极接点与源极接点之间。

8.如权利要求7所述的RF开关电路，其中所述开关加速电路还包括第二额外旁路FET，所述第二额外旁路FET被配置成响应于所述多电平驱动信号来选择性地绕过所述多个漏-源偏压电阻器中的一个。

9.如权利要求1所述的RF开关电路，所述RF开关电路还包括多个漏-源偏压电阻器，所述多个漏-源偏压电阻器耦合在所述多个FET中的每个FET的漏极接点与源极接点之间。

10.如权利要求9所述的RF开关电路，其中所述开关加速电路还包括额外旁路FET，所述额外旁路FET被配置成响应于所述多电平驱动信号来选择性地绕过所述多个漏-源偏压电阻器中的一个。

11.如权利要求1所述的RF开关电路，其中所述旁路FET包括耦合到所述栅极驱动节点的漏极接点、耦合到所述多个FET中的一个的栅极接点的源极接点和耦合到所述多电平驱动器电路的栅极接点。

12.如权利要求1所述的RF开关电路，其中所述开关加速电路还包括加速控制信号发生器电路，所述加速控制信号发生器电路被配置成接收开关控制信号并且提供延迟开关控制信号和加速控制信号，其中所述延迟开关控制信号被用于产生所述栅极驱动信号并且所述加速控制信号被用于产生所述多电平驱动信号。