[发明专利]用于高级集成电路结构制造的连续栅极和鳍状物间隔体

摘要

本公开的实施例属于高级集成电路结构制造的领域，并且具体而言属于10纳米节点和更小的集成电路结构制造和所得结构的领域。在示例中，一种集成电路结构包括鳍状物。绝缘结构与鳍状物的下鳍状物部分的侧壁直接相邻。第一栅极电极在上鳍状物部分之上和绝缘结构的第一部分之上。第二栅极电极在上鳍状物部分之上和绝缘结构的第二部分之上。第一电介质间隔体沿第一栅极电极的侧壁。第二电介质间隔体沿第二栅极电极的侧壁，该第二电介质间隔体在绝缘结构的在第一栅极电极和第二栅极电极之间的第三部分之上与第一电介质间隔体连续。

主权项

1.一种集成电路结构，包括：包括硅的鳍状物，所述鳍状物具有下鳍状物部分和上鳍状物部分；与所述鳍状物的所述下鳍状物部分的侧壁直接相邻的绝缘结构；在所述上鳍状物部分之上和所述绝缘结构的第一部分之上的第一栅极电极；在所述上鳍状物部分之上和所述绝缘结构的第二部分之上的第二栅极电极；沿所述第一栅极电极的侧壁的第一电介质间隔体；以及沿所述第二栅极电极的侧壁的第二电介质间隔体，所述第二电介质间隔体在所述绝缘结构的在所述第一栅极电极和所述第二栅极电极之间的第三部分之上与所述第一电介质间隔体连续。