[发明专利]用于高级集成电路结构制造的双金属硅化物结构

摘要

本公开的实施例属于高级集成电路结构制造的领域，并且具体而言属于10纳米节点和更小的集成电路结构制造和所得结构的领域。在示例中，一种集成电路结构包括衬底上方的P型半导体器件，P型半导体器件包括与第一栅极电极的第一侧和第二侧相邻的第一和第二半导体源极或漏极区。第一金属硅化物层直接在所述第一和第二半导体源极或漏极区上。N型半导体器件包括与第二栅极电极的第一侧和第二侧相邻的第三和第四半导体源极或漏极区。第二金属硅化物层直接分别在第三和第四半导体源极或漏极区上。第一金属硅化物层包括至少一种第二金属硅化物层中不包括的金属种类。

主权项

1.一种集成电路结构，包括：衬底上方的P型半导体器件，所述P型半导体器件包括：分别与第一栅极电极的第一侧和第二侧相邻的第一半导体源极或漏极区和第二半导体源极或漏极区；以及直接在所述第一半导体源极或漏极区和所述第二半导体源极或漏极区上的第一金属硅化物层；以及所述衬底上方的N型半导体器件，所述N型半导体器件包括：分别与第二栅极电极的第一侧和第二侧相邻的第三半导体源极或漏极区和第四半导体源极或漏极区；以及分别直接在所述第三半导体源极或漏极区和所述第四半导体源极或漏极区上的第二金属硅化物层，其中，所述第一金属硅化物层包括至少一种所述第二金属硅化物层中不包括的金属种类。