[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 201811290160.9 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109755179A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 林立彦;张庆裕;林进祥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;G03F7/004 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供半导体结构的形成方法，此方法包括：形成材料层于基底上；以及形成光刻胶层于材料层上；通过进行曝光制程将光刻胶层的一部分曝光。光刻胶层包含一化合物，此化合物具有碳主链，且光酸产生基团和/或抑制剂基团键合至该碳主链。此方法还包括：在光刻胶层上进行烘烤制程；以及蚀刻光刻胶层的一部分，以形成图案化光刻胶层。此方法也包括：通过使用图案化光刻胶层作为屏蔽将材料层图案化；以及移除图案化光刻胶层。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻胶层 图案化光刻胶层 半导体结构 碳主链 蚀刻 材料层图案 此化合物 基团键合 曝光制程 形成材料 材料层 抑制剂 烘烤 光酸 基底 屏蔽 移除 制程 曝光 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，包括：形成一材料层于一基底上；形成一光刻胶层于该材料层上；进行一曝光制程将该光刻胶层的一部分曝光，其中该光刻胶层包括一化合物，且该化合物具有一连接臂，且一光酸产生剂基团和一抑制剂基团中的至少一者键合至该连接臂；在该光刻胶层上进行一烘烤制程；蚀刻该光刻胶层的一部分，以形成一图案化光刻胶层；使用该图案化光刻胶层作为一屏蔽，将该材料层图案化；以及移除该图案化光刻胶层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
