[发明专利]半导体器件和制造方法有效
| 申请号： | 201811281480.8 | 申请日： | 2018-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN109698231B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 斯特芬·霍兰;Z·潘;约亨·韦南茨;汉斯-马丁·里特;托比亚斯·斯普罗杰斯;托马斯·伊格尔-霍尔特岑多夫;沃尔夫冈·施尼特;约阿希姆·乌茨格 | 申请（专利权）人： | 安世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾丽波;张娜 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括半导体衬底和位于衬底上的半导体层；至少一个浅沟槽和至少一个深沟槽。至少一个浅沟槽和至少一个深沟槽中的每个从半导体层的第一主表面延伸。沟槽的侧壁区域和基底区域包括掺杂沟槽区，并且沟槽至少部分地填充有与掺杂区域接触的导电材料。浅沟槽终止于半导体层中，并且深沟槽终止于半导体衬底中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底和位于衬底上的半导体层；至少一个浅沟槽和至少一个深沟槽，所述至少一个浅沟槽和所述至少一个深沟槽中的每个从所述半导体层的第一主表面延伸，其中所述沟槽的侧壁区域和基底区域包括掺杂沟槽区，且所述沟槽至少部分地填充有与掺杂区接触的导电材料；其中，浅沟槽终止于所述半导体层中，并且深沟槽终止于所述半导体衬底中。
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