[发明专利]银纳米线的蚀刻方法、透明导电电极及其制备方法有效
| 申请号： | 201811276742.1 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109686496B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 孟祥浩;顾杨;潘克菲;高绪彬 | 申请（专利权）人： | 苏州诺菲纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B5/14 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 韩晓园 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种透明导电电极，包括基板、位于所述基板上的电极层，所述电极层包括：第一区域，具有若干互连的银纳米线；第二区域，具有若干被切断的银纳米线，被切断的银纳米线中相邻的两段银纳米线之间的间距不大于1000nm。本发明的透明导电电极，第二区域中银纳米线被切断，不能形成有效的导电网络，第一区域与第二区域的电学差异较大；且相邻的两段银纳米线之间的间距不大于1000nm，银纳米线的蚀刻痕较浅，第一区域与第二区域的光学性质差异较小，且在外观上的视觉差异非常小，由其制备的显示屏外观基本一致。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 蚀刻 方法 透明 导电 电极 及其 制备 | ||
【主权项】：
1.一种银纳米线的蚀刻方法，其特征在于：采用激光蚀刻将银纳米线蚀刻成多个线段，且相邻的两段银纳米线之间的间距不大于1000nm。
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