[发明专利]晶闸管及其制备方法有效
| 申请号： | 201811276694.6 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109449204B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 上海领矽半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06;H01L21/332 |
| 代理公司： | 北京华仁联合知识产权代理有限公司 11588 | 代理人： | 国红 |
| 地址： | 201400 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶闸管包括第一导电类型的衬底，形成在衬底上的第二导电类型的埋层，形成在埋层的上表面的第二导电类型的外延层，形成在外延层的上表面的第一导电类型的第一注入区，位于第一注入区内的第二导电类型的第二注入区，自衬底的下表面间隔延伸至衬底内的第一导电类型的多个第三注入区，位于第一注入区与所述第二注入区之间的交界处的氧化层，自第一注入区的上表面延伸至第一注入区开设位于氧化层的外侧的沟槽，沟槽内填充有第一导电类型的多晶硅层，位于第一注入区及所述多晶硅层的上表面的门极金属层。本发明还提供一种晶闸管的制备方法，降低了晶闸管的正向压降和导通损耗，提高了晶闸管的工作效率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶闸管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶闸管，其特征在于，其包括：第一导电类型的衬底；形成在所述衬底上的第二导电类型的埋层；形成在所述埋层的上表面的第二导电类型的外延层；形成在所述外延层的上表面的第一导电类型的第一注入区；位于所述第一注入区内的第二导电类型的第二注入区；自所述衬底的下表面间隔延伸至所述衬底内的第一导电类型的多个第三注入区；位于所述第一注入区与所述第二注入区之间的交界处的氧化层，自所述第一注入区的上表面延伸至所述第一注入区开设位于所述氧化层的外侧的沟槽，所述沟槽内填充有第一导电类型的多晶硅层；位于所述第一注入区及所述多晶硅层的上表面的门极金属层。
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