[发明专利]非易失性存储器件有效
| 申请号： | 201811274793.0 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109754836B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 金灿镐;任琫淳;郭判硕;全哄秀 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波;翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种三维(3D)非易失性存储器包括堆叠结构，该堆叠结构包括多个导电层，所述多个导电层与多个层间绝缘层交替并通过多个层间绝缘层彼此间隔开。堆叠结构包括第一单元区域、与第一单元区域间隔开的第二单元区域、以及在第一单元区域与第二单元区域之间的连接区域。连接区域包括第一台阶部分、第二台阶部分和连接部分，第一台阶部分接触第一单元区域并且具有在接近第二单元区域的方向上下降的阶梯形状，第二台阶部分接触第二单元区域并且具有在接近第一单元区域的方向上下降的阶梯形状，连接部分连接第一单元区域和第二单元区域。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
1.一种三维(3D)非易失性存储器，包括：堆叠结构，其包括多个导电层，所述多个导电层与多个层间绝缘层交替并且所述多个导电层通过所述多个层间绝缘层彼此间隔开，其中所述堆叠结构包括第一单元区域、与所述第一单元区域间隔开的第二单元区域、以及在所述第一单元区域与所述第二单元区域之间的连接区域，以及所述连接区域包括第一台阶部分、第二台阶部分和连接部分，所述第一台阶部分接触所述第一单元区域并且具有在接近所述第二单元区域的方向上下降的阶梯形状，所述第二台阶部分接触所述第二单元区域并且具有在接近所述第一单元区域的方向上下降的阶梯形状，所述连接部分连接所述第一单元区域和所述第二单元区域。
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