[发明专利]一种应用于多级串联IGBT的隔离式供电电源有效
| 申请号： | 201811273168.4 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109245501B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 陈庆国;卢华鑫;程嵩 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨理工大学 |
| 主分类号： | H02M1/096 | 分类号： | H02M1/096;H02J5/00;H01F27/32;H01F27/28 |
| 代理公司： | 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 | 代理人： | 王灿 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种隔离式供电电源，尤其是涉及一种应用于多级串联IGBT的隔离式供电电源。采用多级IGBT串联的结构给供电电源带来的问题有：各级IGBT为串联，而每一级的发射极对地都存在不同的电位，所以每级IGBT的供电电源需要进行隔离；各级IGBT的供电电源的对地电压都不同，所以各级IGBT的供电电源的绝缘强度的要求也不同。为了解决以上问题，一般采用的方法是使用电流母线型的隔离驱动电源。这种方法的不足之处在于每一个变压器均为单向励磁，磁芯利用率低。由于现有方法的不足，需要发明一种新型隔离驱动电源架构，在既能满足多级串联IGBT的隔离供电的前提下，又能提高磁芯的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 多级 串联 igbt 隔离 供电 电源 | ||
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H02M1-00 变换装置的零部件
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H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
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H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
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H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
