[发明专利]一种薄膜晶体管的氧化物半导体材料、薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201811270531.7 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN109545845A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 肖鹏;黄俊华;刘佰全;罗东向 | 申请（专利权）人： | 佛山科学技术学院 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 龙栢强 |
| 地址： | 528000 广东省佛山市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管的氧化物半导体材料、薄膜晶体管，通过氧空位掺杂原理，在In2O3材料基础上巧妙地掺杂VB族元素中的铌，形成Nb‑In‑O材料，具有熔点高、Hall迁移率高及稳定性好等优点，同时利用该氧化物半导体材料制得的薄膜晶体管性能更稳定、Hall迁移率(>30cm2V‑1s‑1)且同时能满足超高分辨率显示驱动需求等优点。此外，Nb元素的电负性较高，Nb‑O键结合能大，可有效地抑制氧空位的产生，有利于抑制载流子浓度，使得有源层中的导电沟道有被栅极有效调控，而且稳定性好。同时，本发明制备工艺简单，成本低，相较镓元素而言，掺杂的铌元素更为常见，加之Nb的电负性大，只需掺杂少量Nb2O3就能够有效抑制载流子浓度，从而大大降低制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 氧化物半导体材料 载流子 掺杂 电负性 迁移率 氧空位 制备 结合能 熔点 发明制备工艺 超高分辨率 材料基础 导电沟道 显示驱动 有效调控 有效抑制 掺杂的 有效地 铌元素 镓元素 源层 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的氧化物半导体材料，其是用于薄膜晶体管中的氧化物半导体材料，其特征在于，所述氧化物半导体材料为Nb‑In‑O材料，包括IIIA族元素中的In和VB副族元素中的Nb。
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