[发明专利]一种铁电存储器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种铁电存储器及其制备方法，所述铁电存储器自上而下由基底、铁电绝缘层、隧穿层、网状源极、源极接触电极、有机半导体层和顶部漏极组成；其网状源极、有机半导体层和顶部漏极层层堆叠在其空间上形成垂直的器件结构，在该结构下晶体管的沟道长度为有机半导体层的厚度（纳米级），超短的沟道长度为器件带来超高的电流密度和快速的响应速度，并且器件的电流方向是从网状源极垂直穿过有机半导体层到达顶部漏极，垂直的电流传输能有效避免由于铁电绝缘层粗糙度较大引起的界面问题提高了铁电存储器的性能；本发明有效提高了器件的驱动能力和响应速度。其在柔性上也有巨大的应用价值，为未来的铁电存储器件的应用提供了参考。

主权项

1.一种铁电存储器，其特征在于：所述铁电存储器自上而下由基底、铁电绝缘层、隧穿层、网状源极、源极接触电极、有机半导体层和顶部漏极组成；所述网状源极与有机半导体层和顶部漏极在空间上层层堆叠形成一种垂直的器件结构，所述器件结构的沟道长度为有机半导体层的厚度；所述铁电存储器是通过正负栅压对铁电绝缘层产生的极化方向不同实现对数据的存储。