[发明专利]显示装置及其制造方法在审
申请号: | 201811258171.9 | 申请日: | 2018-10-26 |
公开(公告)号: | CN109728037A | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
发明(设计)人: | 金亨基;禹俊赫 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 王淑玲;李强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种显示装置包括:基底,所述基底包括显示区域和非显示区域;以及设置在所述显示区域中的至少一个像素。所述至少一个像素包括发射光的发射区域、不发射光的非发射区域、设置在所述发射区域中的发光元件以及驱动所述发光元件的像素电路。所述显示装置还包括设置在所述像素电路和所述发光元件之间的钝化层。所述钝化层覆盖所述像素电路并且包括设置在所述非发射区域中的凹形图案。所述显示装置还包括供电线,所述供电线设置在所述非发射区域中的所述钝化层上并且连接至所述发光元件。所述供电线包括与所述凹形图案相对应的不平坦图案。 | ||
搜索关键词: | 发光元件 显示装置 非发射区域 像素电路 钝化层 供电线 凹形图案 发射区域 显示区域 发射光 基底 像素 不平坦图案 非显示区域 驱动 覆盖 制造 | ||
【主权项】:
1.一种显示装置,所述显示装置包括:基底,所述基底包括显示区域和非显示区域;至少一个像素,所述至少一个像素设置在所述显示区域中,其中,所述至少一个像素包括发射光的发射区域、不发射光的非发射区域、设置在所述发射区域中的发光元件以及驱动所述发光元件的像素电路;钝化层,所述钝化层设置在所述像素电路和所述发光元件之间,其中,所述钝化层覆盖所述像素电路并且包括设置在所述非发射区域中的凹形图案;以及供电线,所述供电线设置在所述非发射区域中的钝化层上并且连接至所述发光元件,其中,所述供电线包括与所述凹形图案相对应的不平坦图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的