[发明专利]薄膜晶体管设计方法、薄膜晶体管及液晶显示屏有效
| 申请号： | 201811257100.7 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109360859B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 于靖;庄崇营;李林 | 申请（专利权）人： | 信利半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 张海洋 |
| 地址： | 516600 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供的薄膜晶体管设计方法、薄膜晶体管及液晶显示屏，通过计算栅极所在的第一金属层的面积，并通过以沟道的数量为变量，获得第一金属层的面积为最小时，该最小面积对应的沟道的数量。采用该沟道的数量设计薄膜晶体管，可以使薄膜晶体管所占空间最小，从而使阵列基板上未被薄膜晶体管的遮挡的空余空间更大，可以增大透光量，同时还能使边框可以做的更窄。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 设计 方法 液晶显示屏 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管设计方法，其特征在于，所述薄膜晶体管包括栅极所在的第一金属层，所述第一金属层上设置有半导体层，所述半导体层上设置有包括源极线和漏极线的第二金属层，所述源极线和漏极线平行且间隔设置，所述源极线与所述漏极线之间为半导体层构成的沟道，所述方法包括：计算所述沟道所占的第一面积，及所述源极线和漏极线所占的第二面积；计算所述第一金属层未被所述沟道、源极线及漏极线覆盖的部分的第三面积；根据第一面积、第二面积及第三面积得到第一金属层的面积；以沟道数量为变量，计算所述第一金属层的面积的最小值，得到在所述第一金属层的面积为该最小值时，薄膜晶体管所需的沟道数量。
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