[发明专利]薄膜晶体管设计方法、薄膜晶体管及液晶显示屏

说明书

本申请实施例提供的薄膜晶体管设计方法、薄膜晶体管及液晶显示屏，通过计算栅极所在的第一金属层的面积，并通过以沟道的数量为变量，获得第一金属层的面积为最小时，该最小面积对应的沟道的数量。采用该沟道的数量设计薄膜晶体管，可以使薄膜晶体管所占空间最小，从而使阵列基板上未被薄膜晶体管的遮挡的空余空间更大，可以增大透光量，同时还能使边框可以做的更窄。

技术领域

本申请涉及薄膜晶体管制造技术领域，具体而言，涉及一种薄膜晶体管设计方法、薄膜晶体管及液晶显示屏。

背景技术

随着薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，简称：TFT-LCD)行业的不断发展，用户对液晶显示器的要求也越来越高。高竞争力的液晶显示屏必须具备品质优良、经济性、实用性强等优点。品质优良包括对比度高、清晰度高、广视角等；经济性主要包括功耗低、成本低等；实用性包括柔性、尺寸适中、显示信息格式丰富等。

就实用性而言，现今市场对液晶显示器的窄边化需求越来越高，如何使边框更窄成为本领域技术人员急需要解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种薄膜晶体管设计方法、薄膜晶体管及液晶显示屏，以解决上述问题。

第一方面，本申请实施例提供一种薄膜晶体管设计方法，所述薄膜晶体管包括栅极所在的第一金属层，所述第一金属层上设置有半导体层，所述半导体层上设置有包括源极线和漏极线的第二金属层，所述源极线和漏极线平行且间隔设置，所述源极线与所述漏极线之间为半导体层构成的沟道，所述方法包括：

计算所述沟道所占的第一面积，及所述源极线和漏极线所占的第二面积；

计算所述第一金属层未被所述沟道、源极线及漏极线覆盖的部分的第三面积；

根据第一面积、第二面积及第三面积得到第一金属层的面积；

以沟道数量为变量，计算所述第一金属层的面积的最小值，得到在所述第一金属层的面积为该最小值时，薄膜晶体管所需的沟道数量。

可选地，在本申请实施例中，所述计算所述沟道所占的第一面积，及所述源极线及漏极线所占的第二面积，包括：

根据所述沟道数量、沟道的长度及沟道的宽度计算得到沟道所占的第一面积；

根据所述源极线和漏极线的数量、源极线或漏极线的长度、及源极线或漏极线的宽度计算得到源极线和漏极线在所述第二金属层所占的第二面积，其中，所述源极线和漏极线的数量之和比所述沟道数量多1。

可选地，在本申请实施例中，所述计算所述第一金属层未被所述沟道、源极线及漏极线覆盖的部分的第三面积，包括：

计算所述第一金属层未被所述沟道、源极线及漏极线覆盖的部分，在与源极线或漏极线平行的两侧的面积；

计算所述第一金属层未被所述沟道、源极线及漏极线覆盖的部分，在与源极线或漏极线垂直的两侧的面积；

由与源极线或漏极线平行的两侧的面积，及与源极线或漏极线垂直的两侧的面积，得到所述第三面积。

可选地，在本申请实施例中，所述计算所述第一金属层未被所述沟道、源极线及漏极线覆盖的部分，在与源极线或漏极线平行的两侧的面积，包括：

根据半导体层与源极线或漏极线平行的一侧距离最近源极线或漏极线的距离、第一金属层与源极线或漏极线平行的一侧距离半导体层的距离、以及单个沟道的宽度，计算得到所述第一金属层在与源极线或漏极线平行的两侧所需的面积。

所述计算所述第一金属层未被所述沟道、源极线及漏极线覆盖的部分，在与源极线或漏极线垂直的两侧的面积，包括：