[发明专利]薄膜晶体管设计方法、薄膜晶体管及液晶显示屏

权利要求书

1.一种薄膜晶体管设计方法，其特征在于，所述薄膜晶体管包括栅极所在的第一金属层，所述第一金属层上设置有半导体层，所述半导体层上设置有包括源极线和漏极线的第二金属层，所述源极线和漏极线平行且间隔设置，所述源极线与所述漏极线之间为半导体层构成的沟道，所述方法包括：

计算所述沟道所占的第一面积，及所述源极线和漏极线所占的第二面积；

计算所述第一金属层未被所述沟道、源极线及漏极线覆盖的部分的第三面积；

根据第一面积、第二面积及第三面积得到第一金属层的面积；

以沟道数量为变量，计算所述第一金属层的面积的最小值，得到在所述第一金属层的面积为该最小值时，薄膜晶体管所需的沟道数量；其中，

所述根据第一面积、第二面积及第三面积得到第一金属层的面积，包括：

计算所述第一面积、第二面积及第三面积的和，将所述第一面积、第二面积及第三面积的和作为第一金属层的面积；

所述以沟道数量为变量，计算所述第一金属层的面积的最小值，得到在所述第一金属层的面积为该最小值时，薄膜晶体管所需的沟道数量，包括：

求取所述第一金属层的面积在以沟道数量为变量时的导数；

计算所述沟道数量在该导数的极值点处的数值；

取距所述数值最近的正整数，作为所述第一金属层的面积为所述最小值时薄膜晶体管所需的沟道数量。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述计算所述沟道所占的第一面积，及所述源极线及漏极线所占的第二面积，包括：

根据所述沟道数量、沟道的长度及沟道的宽度计算得到沟道所占的第一面积；

根据所述源极线和漏极线的数量、源极线或漏极线的长度、及源极线或漏极线的宽度计算得到源极线和漏极线在所述第二金属层所占的第二面积，其中，所述源极线和漏极线的数量之和比所述沟道数量多1。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述计算所述第一金属层未被所述沟道、源极线及漏极线覆盖的部分的第三面积，包括：

计算所述第一金属层未被所述沟道、源极线及漏极线覆盖的部分，在与源极线或漏极线平行的两侧的面积；

计算所述第一金属层未被所述沟道、源极线及漏极线覆盖的部分，在与源极线或漏极线垂直的两侧的面积；

由与源极线或漏极线平行的两侧的面积，及与源极线或漏极线垂直的两侧的面积，得到所述第三面积。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述计算所述第一金属层未被所述沟道、源极线及漏极线覆盖的部分，在与源极线或漏极线平行的两侧的面积，包括：

根据半导体层与源极线或漏极线平行的一侧距离最近源极线或漏极线的距离、第一金属层与源极线或漏极线平行的一侧距离半导体层的距离、以及单个沟道的宽度，计算得到所述第一金属层在与源极线或漏极线平行的两侧所需的面积。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述计算所述第一金属层未被所述沟道、源极线及漏极线覆盖的部分，在与源极线或漏极线垂直的两侧的面积，包括：

根据半导体层与源极线或漏极线垂直的一侧距沟道的距离、第一金属层与源极线或漏极线垂直的一侧距离半导体层的距离、沟道的长度、源极线和漏极线的宽度、半导体层与源极线或漏极线平行的一侧距离最近源极线或漏极线的距离，及第一金属层与源极线或漏极线平行的一侧距离半导体层的距离，计算得到薄膜晶体管在与源极线或漏极线垂直的两侧所需的面积。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述计算所述沟道数量在该导数的极值点处的数值，包括：

计算所述沟道数量在第一金属层的面积的导数位于极值点处的表达式；

输入沟道的长度、沟道的宽度、源极线或漏极线的宽度、半导体层与源极线或漏极线垂直的一侧距沟道的距离和第一金属层与源极线或漏极线垂直的一侧距离半导体层的距离之和，及半导体层与源极线或漏极线平行的一侧距离最近源极线或漏极线的距离和第一金属层与源极线或漏极线平行的一侧距离半导体层的距离之和，得到所述沟道数量在导数的极值点处的数值。