[发明专利]负载缓蚀剂的介孔二氧化硅超疏水薄膜的制备方法及用途有效
申请号: | 201811248969.5 | 申请日: | 2018-10-25 |
公开(公告)号: | CN109402693B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 胡吉明;徐俊波;赵越 | 申请(专利权)人: | 浙江大学;天津中铁电气化设计研究院有限公司;中国中车股份有限公司 |
主分类号: | C25D9/04 | 分类号: | C25D9/04;C25D5/48 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 林松海 |
地址: | 310058 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: |
本发明公开了一种负载缓蚀剂的介孔二氧化硅超疏水薄膜的制备方法及用途。制备方法的第一步是在金属基体上电沉积SiO |
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搜索关键词: | 负载 缓蚀剂 二氧化硅 疏水 薄膜 制备 方法 用途 | ||
【主权项】:
1.一种负载缓蚀剂的介孔二氧化硅超疏水薄膜的制备方法,其特征在于,包括两个步骤:第一步是在金属基体上电沉积SiO2‑模板剂‑缓蚀剂复合介孔薄膜:1.1)电沉积前驱体溶液的配制:取1~100 mL去离子水和5~150 mL乙醇混合搅拌,调节至酸性,依次加入1~10 g模板剂和1~10 g缓蚀剂至完全溶解,再滴加1~10 g SiO2前驱体,搅拌水解;1.2)在金属基底上进行电沉积,沉积完成后得到样品,将样品依次放在去离子水和乙醇中洗涤,再放在烘箱中烘干;第二步为硅烷超疏水修饰:2.1)将第一步电沉积得到的SiO2‑模板剂‑缓蚀剂薄膜置于疏水硅烷溶液中浸泡,取出沥干,放在烘箱中烘干。
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