[发明专利]负载缓蚀剂的介孔二氧化硅超疏水薄膜的制备方法及用途

权利要求书

1.一种负载缓蚀剂的介孔二氧化硅超疏水薄膜的制备方法，其特征在于，包括两个步骤：

第一步是在金属基底上电沉积SiO₂-模板剂-缓蚀剂复合介孔薄膜：

1.1）电沉积前驱体溶液的配制：取1~100 mL去离子水和5～150 mL乙醇混合搅拌，调节至酸性，依次加入1～10 g模板剂和1～10 g缓蚀剂至完全溶解，再滴加1～10 g SiO₂前驱体，搅拌水解；

所述的模板剂选自以下的一种或者多种：长链季铵盐化合物、长链硫酸盐、长链膦酸盐、长链伯胺、聚氧乙烯非离子表面活性剂；

所述的缓蚀剂选自：葡萄糖酸盐、羧酸盐、磺酸盐、硫脲及其衍生物、酯类化合物、含氮杂环化合物及其衍生物、多糖类化合物、酮类化合物、醛类化合物、醛胺缩聚物、有机膦化合物；

1.2）在金属基底上进行电沉积，沉积完成后得到样品，将样品依次放在去离子水和乙醇中洗涤，再放在烘箱中烘干；

第二步为硅烷超疏水修饰：

2.1）将第一步电沉积得到的SiO₂-模板剂-缓蚀剂薄膜置于疏水硅烷溶液中浸泡，取出沥干，放在烘箱中烘干。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2.1）中所述的疏水硅烷溶液的配制过程为：取1~100 mL去离子水和5～150 mL乙醇混合搅拌，调节pH至酸性，再滴加1~10 mL疏水硅烷，搅拌水解。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1.1）中所述的SiO₂前驱体为硅酸四甲酯或者硅酸四乙酯，或者上述二者的混合液。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1.2）中所述的金属基底选自碳钢、镀锌钢、冷轧钢、铝、铜、镁、镁合金、铝合金、铜合金。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1.1）中所述的含氮杂环化合物及其衍生物选自：胺类化合物、酰胺类化合物、含氮生物碱、氨基酸、乌洛托品、醛胺缩聚物、氮苯化合物。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1.2）中所述的电沉积的电位控制在-0.5～-5.0 V，沉积时间为1～60 min。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2.1）中所述的疏水硅烷选自：烷基三甲氧基硅烷、烷基三乙氧基硅烷、烷基氯硅烷、硅氮烷、含氟硅烷；其中疏水硅烷修饰时间为1～100 min。

8.一种负载缓蚀剂的介孔SiO₂超疏水薄膜，其特征在于，根据权利要求1所述的制备方法制备得到。