[发明专利]集成电路装置在审
| 申请号： | 201811248683.7 | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109860173A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 高境鸿;黄崎峰;蔡辅桓;梁其翔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 在一个实施例中，集成电路装置(IC)包括半导体基板、配置在半导体基板上的隔离区域以及主动区域、配置在主动区域上的栅极堆叠以及配置在主动区域中并且在第一方向上被插入栅极堆叠的源极以及漏极。主动区域至少部分地被隔离区域所围绕。主动区域的中间部分在第二方向上横向地延伸超过栅极堆叠，第二方向与第一方向正交。 | ||
| 搜索关键词： | 主动区域 栅极堆叠 集成电路装置 半导体基板 隔离区域 配置 方向正交 地被 漏极 源极 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路装置，包括：一半导体基板；一隔离区域以及一主动区域，被配置在上述半导体基板上，其中上述主动区域至少部分地被上述隔离区域所围绕；一栅极堆叠，被配置在上述主动区域上；以及一源极以及一漏极，被配置在上述主动区域中，并且上述栅极堆叠在一第一方向上插入于上述源极以及上述漏极之间；其中上述主动区域的一中间部分在一第二方向上横向地延伸超过上述栅极堆叠，上述第二方向与上述第一方向正交。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
