[发明专利]再生弱光栅阵列的制备方法及系统有效
| 申请号： | 201811242313.2 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN109445018B | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 唐健冠;商福发;甘维兵;郭会勇;南秋明;刘芳;邓艳芳;杨明红 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | G02B6/02 | 分类号： | G02B6/02 |
| 代理公司： | 42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人： | 许美红 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种再生弱光栅阵列的制备方法及系统，其中方法包括以下步骤：将弱光栅阵列光纤在一定的压力环境下载氢，直到氢分子的完全渗入弱光栅阵列光纤中；所述弱光栅阵列光纤为反射率1％～2％的弱光栅阵列光纤；将高温炉升至光栅再生温度900℃～1000℃，并保持稳定；将载氢后的弱光栅阵列光纤快速插入高温炉的高温恒温区；观测光栅的反射谱，当出现稳定的反射峰时，得到再生光纤。本发明获得的高温传感阵列光栅高温性能良好，能实现低温至1000℃的超大范围温度测量，反射率一致性较高，易于解调系统检测，整个传感阵列无任何焊点，损耗低，制备过程全自动化，大大提高了制备的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 光栅阵列 光纤 光栅 制备 再生 传感阵列 反射率 高温炉 焊点 高温恒温 高温性能 解调系统 全自动化 温度测量 压力环境 制备过程 反射峰 反射谱 氢分子 下载 渗入 观测 检测 | ||
【主权项】：
1.一种再生弱光栅阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n将弱光栅阵列光纤在一定的压力环境下载氢，直到氢分子的完全渗入弱光栅阵列光纤中；/n将高温炉升至光栅再生温度900℃~1000℃，并保持稳定；/n将载氢后的弱光栅阵列光纤快速插入高温炉的高温恒温区；/n观测光栅的反射谱，当出现稳定的反射峰时，得到再生光纤。/n
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