[发明专利]非易失性存储器件在审
| 申请号： | 201811240519.1 | 申请日： | 2018-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN109698214A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 宋时虎;朴日穆;李广宇;权世甲 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种非易失性存储器件，包括：衬底、所述衬底上的第一电极、所述衬底上的第二电极、所述第一电极与所述第二电极之间的选择元件层、以及接触所述第一电极和所述第二电极中的任何一个电极的存储层。所述第一电极在第一方向上具有第一宽度。所述第二电极在垂直于所述第一方向的第二方向上与所述第一电极间隔开。所述第二电极在所述第一方向上具有第二宽度。所述选择元件层包括接触所述第一电极的第一掺杂层。所述第一掺杂层包括第一浓度的杂质。所述选择元件层包括接触所述第二电极的第二掺杂层。所述第二掺杂层包括低于所述第一浓度的第二浓度的所述杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 第二电极 第一电极 掺杂层 选择元件 衬底 非易失性存储器件 电极 存储层 垂直 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器件，包括：衬底；所述衬底上的第一电极，所述第一电极在第一方向上具有第一宽度；所述衬底上的第二电极，所述第二电极在垂直于所述第一方向的第二方向上与所述第一电极间隔开，并且所述第二电极在所述第一方向上具有第二宽度；在所述第一电极与所述第二电极之间的选择元件层，所述选择元件层包括接触所述第一电极的第一掺杂层，并且所述第一掺杂层包括第一浓度的杂质，所述选择元件层包括接触所述第二电极的第二掺杂层，并且所述第二掺杂层包括第二浓度的所述杂质，所述第二浓度大于或等于0并且低于所述第一浓度；以及接触所述第一电极和所述第二电极中的任何一个电极的存储层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
