[发明专利]半导体激光元件

摘要

本发明提供使高温动作时及大输出动作时的功率转换效率提升的半导体激光元件。半导体激光元件(1)具备在n型基板(12)上依序层叠有n型包层(2)、多重量子阱活性层(3)以及p型包层(41)，在该半导体层叠部的上部具备条纹结构。n型包层(2)包括：由Alx1Ga1‑x1As(0.4x1≤1)构成的第一n型包层(21)、以及由(Alx2Ga1‑x2)1‑y2Iny2P(0≤x2≤1，0.45≤y2≤0.55)构成的第二n型包层(22)。p型包层(41)由(Alx3Ga1‑x3)1‑y3Iny3P(0≤x3≤1，0.45≤y3≤0.55)构成。条纹结构的宽度为10μm以上，且第一n型包层(21)的相对于激光振荡波长的折射率为第二n型包层(22)的相对于激光振荡波长的折射率以下。

主权项

1.一种半导体激光元件，具有n型基板、和在所述n型基板上依序层叠有n型包层、活性层、及p型包层的半导体层叠部，在所述半导体层叠部的上部具备条纹结构，其特征在于，所述n型包层至少包括以下两层：在远离所述活性层侧，由Al_x1Ga_1‑x1As层(0.4<x1≦1)构成的第一n型包层；以及在接近所述活性层侧，由(Al_x2Ga_1‑x2)_1‑y2In_y2P层(0≦x2≦1，0.45≦y2≦0.55)构成的第二n型包层，所述p型包层由(Al_x3Ga_1‑x3)_1‑y3In_y3P层(0≦x3≦1，0.45≦y3≦0.55)构成，所述条纹结构的宽度为10μm以上，并且所述第一n型包层的相对于激光振荡波长的折射率为所述第二n型包层的相对于激光振荡波长的折射率以下。