[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 201811235228.3 | 申请日： | 2018-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN109801838A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 翁明晖;吴承翰;张庆裕;林进祥;王筱姗 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/004 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供包含使用光刻胶材料的半导体结构的形成方法。半导体结构的形成方法包括在基底之上形成材料层以及在材料层之上形成光刻胶层。半导体结构的形成方法还包括在光刻胶层上进行曝光制程以及显影光刻胶层。并且，光刻胶层是由光刻胶材料所形成，光刻胶材料包含感光性聚合物，且感光性聚合物具有第一感光性官能基团及第一酸不稳定基团，第一感光性官能基团键合至感光性聚合物的主链，第一酸不稳定基团键合至第一感光性官能基团。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体结构 光刻胶层 感光性聚合物 光刻胶材料 官能基团 感光性 酸不稳定基团 键合 曝光制程 形成材料 材料层 基底 显影 主链 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，包括：在一基底之上形成一材料层；在该材料层之上形成一光刻胶层；在该光刻胶层上进行一曝光制程；以及显影该光刻胶层；其中，该光刻胶层是由一光刻胶材料所形成，该光刻胶材料包括一感光性聚合物，且该感光性聚合物具有一第一感光性官能基团及一第一酸不稳定基团，该第一感光性官能基团键合至该感光性聚合物的一主链，该第一酸不稳定基团键合至第一感光性官能基团。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
