[发明专利]二维超晶格硒化铟及其制备方法与在制备光电探测器中的应用有效
| 申请号： | 201811235022.0 | 申请日： | 2018-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN109411331B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 冯伟;刘赫;于苗苗;秦芳璐 | 申请（专利权）人： | 东北林业大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 田鸿儒 |
| 地址： | 150040 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种二维超晶格硒化铟及其制备方法与在制备光电探测器中的应用，属于高性能光电探测器领域；二维超晶格硒化铟的制备方法为：SiO |
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| 搜索关键词： | 二维 晶格 硒化铟 及其 制备 方法 光电 探测器 中的 应用 | ||
【主权项】：
1.一种二维超晶格硒化铟的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一、将SiO2/Si基底进行预处理；步骤二、用透明胶带反复粘贴块体InSe材料，然后将透明胶带粘贴在经步骤一处理后的SiO2/Si基底上，撕去透明胶带后，将SiO2/Si基底浸泡在丙酮中，取出SiO2/Si基底即可在其表面获得随机分布的二维InSe纳米片；步骤三、将SiO2/Si基底放入管式炉中，将管式炉抽真空，并通入Ar/H2的混合气体，升温至350℃，保温，然后降温至室温，取出SiO2/Si基底，即可在SiO2/Si基底表面制得二维超晶格InSe纳米片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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