[发明专利]GaN HEMT控制电路有效
| 申请号： | 201811230522.5 | 申请日： | 2018-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN109462388B | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 谢路平;樊奇彦;刘江涛 | 申请（专利权）人： | 京信网络系统股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 周清华 |
| 地址： | 510663 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种GaN HEMT控制电路，包括栅压切换电路，以及连接GaN HEMT的栅极管脚的栅压端；栅压切换电路包括第一开关电路、第二开关电路以及第三开关电路；第一开关电路的第一端接入TDD切换信号，第一开关电路的第二端分别连接第二开关电路的第一端和第三开关电路的第一端；第二开关电路的第二端连接栅极电压源，第二开关电路的第三端连接栅压端；第三开关电路的第二端连接负电压电源端，第三开关电路的第三端连接栅压端。TDD切换信号可控制第一开关电路的通断，第一开关电路的通断可控制第二开关电路和第三开关电路的通断，能够切换栅压端的电压；基于上述结构，可利用TDD上下行切换信号，控制GaN HEMT的栅极电压，实现GaN HEMT的快速关断与开启。 | ||
| 搜索关键词： | gan hemt 控制电路 | ||
【主权项】：
1.一种GaN HEMT控制电路，其特征在于，包括栅压切换电路，以及用于连接GaN HEMT的栅极管脚的栅压端；所述栅压切换电路包括第一开关电路、第二开关电路以及第三开关电路；所述第一开关电路的第一端用于接入TDD切换信号，所述第一开关电路的第二端分别连接所述第二开关电路的第一端和所述第三开关电路的第一端；所述第二开关电路的第二端用于连接栅极电压源，所述第二开关电路的第三端连接所述栅压端；所述第三开关电路的第二端用于连接负电压电源端，所述第三开关电路的第三端连接所述栅压端。
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