[发明专利]沟槽型MOS结构肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201811224311.0 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN111081754A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 王艳春;周亮 | 申请（专利权）人： | 宁波比亚迪半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 315800 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了沟槽型MOS结构肖特基二极管及其制备方法。所述沟槽型MOS结构肖特基二极管包括N型掺杂衬底、设置在所述N型掺杂衬底上表面上的N型掺杂外延层和从所述N型掺杂外延层的上表面向所述N型掺杂外延层中延伸的多个沟槽，其中，所述N型掺杂外延层中的掺杂浓度由上至下逐渐升高。由此，通过改变肖特基二极管中N型掺杂外延层的杂质掺杂浓度(N型掺杂外延层中的掺杂浓度由上至下逐渐升高)，可以改变N型掺杂外延层电场强度分布，进而降低沟槽底部拐角处的峰值电场，达到改善肖特基二极管的反向阻断特性和器件的正向导通特性，即降低肖特基二极管的反向漏电流，升高反向击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mos 结构 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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