[发明专利]用于管理非易失性存储器件的损耗均衡操作的半导体器件在审

专利信息
申请号: 201811221302.6 申请日: 2018-10-19
公开(公告)号: CN109960668A 公开(公告)日: 2019-07-02
发明(设计)人: 郑贤慜;金宣雄;李孝根;慎佑縡;李赫宰 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司;首尔大学校产学协力团
主分类号: G06F12/1009 分类号: G06F12/1009;G06F3/06
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 许伟群;郭放
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 本申请公开了一种用于管理非易失性存储器件的损耗均衡操作的半导体器件。一种半导体器件可以包括介质控制器,该介质控制器被配置为将响应于接收的用于写入的写入请求的地址输出到非易失性存储器。该半导体器件还可以包括热地址检测器。热地址检测器被配置为:储存包括从介质控制器输出的地址且包括与该地址相关的元数据的列表;根据从介质控制器输出的地址来更新元数据;判断从介质控制器输出的地址是否为热地址;以及调整列表的长度。
搜索关键词: 介质控制器 半导体器件 非易失性存储器件 地址检测器 损耗均衡 输出 非易失性存储器 更新元数据 地址输出 地址相关 写入请求 元数据 配置 写入 储存 响应 管理 申请
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:介质控制器,其被配置为将响应于接收用于写入的写入请求的地址输出到非易失性存储器;以及热地址检测器,其被配置为:储存包括从所述介质控制器输出的所述地址且包括与所述地址相关的元数据的列表;根据从所述介质控制器输出的所述地址来更新所述元数据;判断从所述介质控制器输出的所述地址是否为热地址;以及调整所述列表的长度。
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