[发明专利]用于管理非易失性存储器件的损耗均衡操作的半导体器件

说明书

本申请公开了一种用于管理非易失性存储器件的损耗均衡操作的半导体器件。一种半导体器件可以包括介质控制器，该介质控制器被配置为将响应于接收的用于写入的写入请求的地址输出到非易失性存储器。该半导体器件还可以包括热地址检测器。热地址检测器被配置为：储存包括从介质控制器输出的地址且包括与该地址相关的元数据的列表；根据从介质控制器输出的地址来更新元数据；判断从介质控制器输出的地址是否为热地址；以及调整列表的长度。

相关申请的交叉引用

本专利申请要求于2017年12月22日提交的申请号为10-2017-0177683的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

各种实施例总体而言可以涉及一种用于通过检测非易失性存储器件中的热地址来管理非易失性存储器件的损耗均衡操作的半导体器件。

背景技术

非易失性存储器通常因其中的存储单元的物理性质和化学性质而在写入操作的数量上受到限制。

例如，相变随机存取存储器(PCRAM)的存储单元具有与大约10⁷次写入操作相对应的寿命。

如果写入请求集中在存储器件的特定存储单元上，则整个存储器件的寿命可能会因该特定存储单元的寿命的缩短而缩短。

可以执行损耗均衡操作以在存储器件中包括的存储单元上为存储器件更均匀地分配写入操作。

通常，以规律的间隔执行改变逻辑地址与物理地址之间的映射关系的方法，以执行损耗均衡操作。

如果在预定间隔之内大量的写入请求集中在特定的物理地址上，则导致相应的存储单元发生劣化。

发明内容

根据本示教，一种半导体器件可以包括介质(media)控制器，其被配置为将响应于接收用于写入的写入请求的地址输出到非易失性存储器。所述半导体器件还可以包括热地址检测器。所述热地址检测器被配置为：储存包括从所述介质控制器输出的所述地址且包括与所述地址相关的元数据的列表；根据从所述介质控制器输出的所述地址来更新所述元数据；判断从所述介质控制器输出的地址是否为热地址；以及调整所述列表的长度。

附图说明

附图(在各个示图中相同的附图标记表示相同的元件或功能上相似的元件)与下面的详细描述并入本说明书并形成本说明书的部分，以用于进一步说明包括所要求的新颖性的概念的实施例，并用于进一步解释各种原则和那些实施例的优点。

图1所示为示出根据本公开的实施例的半导体器件的框图。

图2所示为示出根据本公开的实施例的非易失性存储器件的框图。

图3所示为示出根据本公开的实施例的映射电路的框图。

图4所示为示出根据本公开的实施例的热地址检测器的框图。

图5所示为示出根据本公开的实施例的寄存器的数据结构的框图。

图6所示为示出根据本公开的实施例的节点的数据结构的框图。

图7和图8所示为示出根据本公开的实施例的热地址检测器的操作的流程图。

图9至图14所示为示出根据本公开的实施例的调整第二阈值的操作的流程图。

图15和图16所示为示出针对本公开的实施例的影响的条形图。

具体实施方式