[发明专利]高压元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811220212.5 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN111081775A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 黄宗义;游焜煌;林盈秀;陈巨峰;洪崇祐;凃宜融 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种高压元件及其制造方法。高压元件包含：半导体层，形成于基板上，半导体层具有第一沟槽；阱区，具有第一导电型，形成于半导体层中；本体区，具有第二导电型，形成于阱区中；栅极，形成于阱区上方并连接于阱区；源极与漏极，具有第一导电型，源极与漏极分别位于栅极的外部不同侧下方的本体区中与阱区中；以及漂移氧化区，形成于漂移区正上方，且漂移氧化区的底面高于第一沟槽的第一沟槽底面。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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