[发明专利]一种氧化镓场效应晶体管日盲探测器及其制作工艺

摘要

本发明的氧化镓场效应晶体管日盲探测器，包括衬底、栅电极、栅介质层、氧化镓沟道层、源电极和漏电极，特征在于：氧化镓沟道层采用100‑300 nm厚的N型掺杂氧化镓薄膜。本发明的日盲探测器的制作工艺，包括：a).将衬底依次用去离子水、丙酮、乙醇清洗；b).用等离子体清洗机在氧气氛围中清洗衬底；c).转移氧化镓薄膜；d).去除转移物；e).制备源、漏电极。本发明的场效应晶体管及制作工艺，首先采用离子水、丙酮、乙醇对衬底进行清洗，再利用等离子体清洗机在氧气氛围中进行清洗，改善了栅介质层表面的亲和性，使得转移的氧化镓薄膜与栅介质层的接触更加牢固，使得所形成的器件具有高光电流开关比、快速响应的特点。

主权项

1.一种氧化镓场效应晶体管日盲探测器，包括衬底、栅电极、栅介质层、氧化镓沟道层、源电极和漏电极，栅介质层设置于衬底上，氧化镓沟道层设置于栅介质层上，源电极和漏电极间隔地设置于氧化镓沟道层上；其特征在于：所述氧化镓沟道层为采用机械剥离氧化镓单晶转移至栅介质层上的厚度为100 ‑ 300 nm的N型掺杂氧化镓薄膜。