[发明专利]石墨烯保护膜的制备方法、石墨烯保护膜及其使用方法有效
申请号: | 201811203418.7 | 申请日: | 2018-10-16 |
公开(公告)号: | CN109321893B | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 张莹莹;夏凯伦 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/01 |
代理公司: | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人: | 陈超 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种石墨烯保护膜的制备方法、石墨烯保护膜及其保护方法,所述制备方法包括:采用化学气相沉积法在金属基底表面制备石墨烯膜;将转移辅助贴膜覆盖在金属基底上的石墨烯膜表面;将带有转移辅助贴膜的石墨烯膜置于金属刻蚀剂中,刻蚀去除所述金属基底;用去离子水清洗去除残留的金属刻蚀剂,得到石墨烯保护膜。由上述方法制得的石墨烯保护膜具有转移辅助贴膜层和石墨烯膜层。该石墨烯保护膜可以方便、完全的保护需要被保护的物质,隔离空气中的氧气和水分,同时可以方便的揭除掉而不影响被保护的物质;这种保护过程可以重复多次,对被保护的物质表面没有影响。 | ||
搜索关键词: | 石墨 保护膜 制备 方法 及其 使用方法 | ||
【主权项】:
1.一种石墨烯保护膜的制备方法,其特征在于,包括:S110,采用化学气相沉积法在金属基底表面制备石墨烯膜;S120,将转移辅助贴膜覆盖在金属基底上的石墨烯膜表面;S130,将带有转移辅助贴膜的石墨烯膜置于金属刻蚀剂中,刻蚀去除所述金属基底;S140,用去离子水清洗去除残留的金属刻蚀剂,得到石墨烯保护膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的