[发明专利]一种晶圆烘烤装置及方法在审
| 申请号： | 201811203382.2 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN109390256A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 颜柏寒;冯耀斌;张鹏真 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 高洁;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆烘烤装置及方法。所述晶圆烘烤装置包括烘烤腔室；第一烘烤部，设置在所述烘烤腔室内的下部；其中，所述晶圆烘烤装置还包括：第二烘烤部，设置在所述烘烤腔室内的上部；被配置成穿过所述第一烘烤部的升降单元，用于提升或降低平放于所述升降单元上的所述晶圆的高度；升降单元驱动装置，用于驱动所述升降单元进行垂直移动。本发明的装置结构简单，容易通过对已有的晶圆烘烤装置简单改造而获得。用本发明的方法烘烤的晶圆受热均匀，大大减少了因受热不均匀而带来的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 烘烤装置 晶圆 升降单元 烘烤部 烘烤腔 种晶 室内 烘烤腔室 驱动装置 受热均匀 装置结构 受热 不均匀 烘烤 平放 穿过 驱动 配置 改造 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆烘烤装置，包括：烘烤腔室；第一烘烤部，设置在所述烘烤腔室内的下部；其特征在于，所述晶圆烘烤装置还包括：第二烘烤部，设置在所述烘烤腔室内的上部；被配置成穿过所述第一烘烤部的升降单元，用于提升或降低平放于所述升降单元上的所述晶圆的高度；升降单元驱动装置，用于驱动所述升降单元进行垂直移动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
