[发明专利]晶闸管或双向可控硅控制电路有效

专利信息
申请号: 201811199211.7 申请日: 2018-10-15
公开(公告)号: CN109672327B 公开(公告)日: 2021-08-31
发明(设计)人: G·贝纳布德拉兹;C·雷蒙 申请(专利权)人: 意法半导体(图尔)公司
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;崔卿虎
地址: 法国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 晶闸管或双向可控硅控制电路包括第一电容性元件,该第一电容性元件在第一端子和第二端子之间与第一二极管串联连接,该第二端子旨在耦合到晶闸管或双向可控硅的栅极。第二电容性元件耦合在第二端子和第三端子之间,第三端子旨在连接到在晶闸管或双向可控硅的栅极侧的晶闸管或双向可控硅的导电端子。第二二极管耦合在第三端子和第一电容性元件与第一二极管的连接节点之间。
搜索关键词: 晶闸管 双向 可控硅 控制电路
【主权项】:
1.一种用于控制晶闸管或双向可控硅的电路,包括:第一电容性元件,在第一端子和第二端子之间与第一二极管串联连接,连接节点形成在所述第一电容性元件和所述第一二极管的互连处,所述第二端子被配置为耦合到所述晶闸管或双向可控硅的栅极;第二电容性元件,耦合在所述第二端子和第三端子之间,所述第三端子被配置为连接到所述晶闸管或双向可控硅的栅极侧的所述晶闸管或双向可控硅的第一传导端子;以及第二二极管,耦合在所述第一电容性元件和所述第一二极管的所述连接节点与所述第三端子之间。
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