[发明专利]晶闸管或双向可控硅控制电路

说明书

晶闸管或双向可控硅控制电路包括第一电容性元件，该第一电容性元件在第一端子和第二端子之间与第一二极管串联连接，该第二端子旨在耦合到晶闸管或双向可控硅的栅极。第二电容性元件耦合在第二端子和第三端子之间，第三端子旨在连接到在晶闸管或双向可控硅的栅极侧的晶闸管或双向可控硅的导电端子。第二二极管耦合在第三端子和第一电容性元件与第一二极管的连接节点之间。

技术领域

本公开一般地涉及电子电路，并且更具体地涉及晶闸管或双向可控硅控制电路。

背景技术

晶闸管或双向可控硅型功率开关的控制需要从其栅极提取或注入电流。该电流的产生可能需要使用特定电路来产生与上游电路电流隔离的电流，该上游电路在不同电压下操作或利用不同电位参考操作。当开关控制AC负载或连接到AC电压的端子时，在功率应用中尤其如此。

目前的解决方案基于光隔离器或电流隔离变压器的使用。

发明内容

实施例克服了已知电流隔离控制电路的全部或部分劣势。

实施例提供了避免使用隔离变压器或光隔离器的解决方案。

实施例针对避免使用隔离电源的解决方案。

因此，实施例提供了一种用于控制晶闸管或双向可控硅的电路，包括：

第一电容性元件，与第一二极管串联连接，在第一端子与第二端子之间，第二端子旨在耦合到晶闸管或双向可控硅的栅极；

第二电容性元件，在第二端子与第三端子之间，旨在连接到晶闸管或双向可控硅的在栅极侧的导电端子；以及

第二二极管，在第三端子与第一电容性元件和第一二极管的连接节点之间。

根据实施例，第一二极管的阴极在第二端子侧。

根据实施例，第二二极管的阳极在第三端子侧。

根据实施例，该电路进一步包括第三电容性元件，该第三电容性元件具有连接到第三端子的第一电极。

根据实施例，电阻性元件插入在第二端子与晶闸管或双向可控硅的栅极之间。

根据实施例，第一端子旨在接收脉冲串，该脉冲串具有的振幅小于施加到晶闸管或双向可控硅的导电端子的AC电压的振幅，并且频率大于该AC电压的频率。

根据实施例，第三电容性元件的第二电极旨在连接到脉冲串的电位中的一个电位的端子。

根据实施例，第一电容性元件被选择为承受AC电压。

根据实施例，第三电容性元件被选择为承受AC电压。

根据实施例，晶闸管是阴极-栅极晶闸管。

实施例还提供了一种整流器桥，包括：

至少一个晶闸管；以及

至少一个控制电路。

实施例还提供了一种交流负载控制电路，包括：

至少一个晶闸管或双向可控硅；以及

至少一个控制电路。

实施例还提供了一种电路控制方法，其中脉冲串被施加到第一端子，该脉冲串具有的振幅小于被施加到晶闸管或双向可控硅的导电端子的AC电压的振幅，并且具有的频率大于该AC电压的频率。

根据实施例，脉冲串由微控制器提供。

根据实施例，脉冲串由振荡器提供。

在结合附图的特定实施例的以下非限制性描述中将详细讨论前述和其他特征和优势。

附图说明