[发明专利]晶闸管或双向可控硅控制电路有效
申请号: | 201811199211.7 | 申请日: | 2018-10-15 |
公开(公告)号: | CN109672327B | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | G·贝纳布德拉兹;C·雷蒙 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(图尔)公司 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;崔卿虎 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 晶闸管 双向 可控硅 控制电路 | ||
1.一种用于控制晶闸管的电路,包括:
第一二极管,耦合在第一节点和第二节点之间,所述第二节点耦合到所述晶闸管的栅极;
第一电容性元件,耦合在所述第一节点和第一控制节点之间;
第二电容性元件,耦合在所述第二节点和参考节点之间,在所述晶闸管的栅极一侧的所述晶闸管的第一传导端子耦合到所述参考节点;
第二二极管,耦合在所述参考节点和所述第一节点之间;以及
开关,包括第一开关端子、第二开关端子和控制端子,所述第一开关端子耦合到所述第一节点,所述第二开关端子耦合到所述参考节点,并且所述开关的所述控制端子耦合到第二控制节点。
2.根据权利要求1所述的电路,其中所述第一二极管的阴极耦合到所述第二节点,并且所述第二二极管的阳极耦合到所述参考节点。
3.根据权利要求1所述的电路,其中所述开关包括晶体管,所述晶体管具有耦合到所述第二控制节点的控制端子、耦合到所述参考节点的第一输出端子、以及耦合到所述第一节点的第二输出端子。
4.根据权利要求3所述的电路,其中所述开关包括在所述晶体管的所述控制端子和所述第二控制节点之间的电阻性元件。
5.根据权利要求1所述的电路,进一步包括第三电容性元件,所述第三电容性元件具有耦合到所述参考节点的第一电极和耦合到接地的第二电极。
6.根据权利要求1所述的电路,进一步包括在所述第二节点和所述晶闸管的所述栅极之间的电阻性元件。
7.根据权利要求1所述的电路,进一步包括:
放大器,耦合到所述第一控制节点并且被配置为在所述第一控制节点上提供脉冲串,所述晶闸管包括被配置为接收具有振幅和频率的AC电压的第二传导端子,所述脉冲串具有小于所述AC电压的所述振幅的振幅并且具有大于所述AC电压的所述频率的频率。
8.根据权利要求7所述的电路,进一步包括耦合到所述放大器的微控制器。
9.根据权利要求7所述的电路,进一步包括第三电容性元件,其中所述第三电容性元件包括耦合到所述参考节点的第一电极和耦合到接地的第二电极,所述第二电极被配置为接收与所述脉冲串相关联的参考电位。
10.根据权利要求9所述的电路,其中所述第一电容性元件和所述第三电容性元件被配置为承受所述AC电压。
11.根据权利要求1所述的电路,其中所述晶闸管是阴极-栅极晶闸管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体(图尔)公司,未经意法半导体(图尔)公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811199211.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:自适应谐振频率转换器
- 下一篇:一种变流器控制单元保护装置及方法
- 同类专利
- 专利分类
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置