[发明专利]一种半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201811199037.6 | 申请日： | 2018-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN111048576A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 吴俊峰;邓光敏;吴星星 | 申请（专利权）人： | 苏州捷芯威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，其中，半导体器件包括：衬底；半导体层，位于所述衬底的一侧，所述半导体层内形成有二维电子气沟道；栅极、源极和漏极，位于所述半导体层远离所述衬底的一侧，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间；接触区，形成于所述半导体层中，位于所述源极远离所述漏极的一侧，且所述接触区的底部位于所述二维电子气沟道的下方；接触电极，位于所述接触区远离所述衬底的一侧，且与所述接触区电接触，所述接触电极连接一电位。本发明降低了半导体器件的动态电阻，避免半导体器件发生电流崩塌。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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